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ICS 31.200 L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 36477—2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法 Semiconductor integrated circuit- Measuring methods for flash memory 2019-01-01实施 2018-06-07发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 36477—2018 目 次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 一般要求 4 4.1 设备和条件 4.2 电参数测试向量 5详细要求 5.1 输出高电平电压和输出低电平电压 5.2 输入高电平电压和输人低电平电压 5.3 输入高电平电流和输人低电平电流 5.4 输出高电平电流和输出低电平电流 5.5 输出高电阻状态电流 5.6 电源电流和漏电流 5.7 传输时间 5.8 建立时间和保持时间 5.9 延迟时间 5.10 有效时间(适用时) 5.11 存储器的特定时间 11 5.12 存储单元0变1功能 5.13 存储单元1变0功能 12 5.14 特殊数据图形功能 13 附录A(资料性附录) 快闪存储器测试流程 14 GB/T36477—2018 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。 本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、上海复旦 微电子集团股份有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、复旦大 学、中兴通讯股份有限公司。 本标准主要起草人:营端端、陈大为、钟明琛、罗晓羽、冯光涛、倪昊、赵子鉴、董艺、田万廷、高硕、 闵昊、刘刚。 GB/T36477—2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法 1范围 本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数,时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 flashmemory 快闪存储器 一种非易失存储器,具有电可擦除可编程的特性,主要特点是可以对大区块进行快速的读写。 3.2 最坏情况条件 worst case condition 把电源电压、输入信号、负载在标称范围内的最不利条件同时加到被测快闪存储器上构成的 4一般要求 SG 4.1设备和条件 快闪存储器的电特性测试不限定具体方式和设备,宜在自动测试系统上进行,具体包括但不限于测 试机、探针台、高低温冲击设备和示波器 在电参数测试时,应制定测试向量,使快闪存储器处于所需的工作状态后才能开始测试,关于测试 向量的一般性要求应符合4.2的规定,测试流程参见附录A。 除另有规定外,快闪存储器测试应在环境气压为86kPa~106kPa、相对湿度为35%~80%的范围 内进行。测试温度应符合GB/T17574一1998第IV篇第1节2.1.2的规定。 测试不同参数时的最坏情况可能是不一样的,如果并非全部测试条件都取最不利的数值,则用“部 分最坏情况条件”加以区别,并应同时指明与最坏情况的偏离。 4.2 2电参数测试向量 所用向量应为功能测试证明正确的向量,且输出逻辑状态符合设计指标要求 1 GB/T36477—2018 向量发生器应提供足够的向量数量和长度,保证被测快闪存储器能按功能表建立输人条件,并且在 测试时输出逻辑状态不发生变化。向量发生器输出高电平电压的最小值应大于被测快闪存储器的输入 高电平电压的最小值,低电平电压最大值应小于被测快闪存储器的输入低电平电压最大值。除非另有 说明,向量发生器输出的上升时间和下降时间应小于被测快闪存储器的上升时间和下降时间,输出向量 波形的上冲和下冲幅度应小于其高电平电压和低电平电压的算术平均值。端接电阻应符合规定。 向量采集器应保证提供足够的存储深度,能够采集到期望的逻辑状态, 适用时,应施加最坏情况条件下的电源电压和输入信号电平。 功能测试的向量包含以下内容,但是不限于这些内容: a)存储单元数据0到数据1写功能验证; b)存储单元数据1到数据0写功能验证; c)不 存储单元读出功能验证; d快闪存储器接口功能验证 用于功耗测试的向量应满足快闪存储器不同状态的要求。在功耗测试时,应确保快闪存储器在整 个过程中不脱离指定的状态或者应用。 5详细要求 5.1车 输出高电平电压和输出低电平电压 5.1.1直接测量法(静态法) 按GB/T17574—1998第IV篇第2节测试输出高电平电压VoH和输出低电平电压VoL。 宜先使用直接测量法(静态法)测试输出高电平电压和输出低电平电压。 5.1.2比较验证法(动态法) 5.1.2.1目的 测试规定条件下的输出高电平电压和输出低电平电压 5.1.2.2 测试原理图 使用动态法测试输出高电平电压和输出低电平电压的原理如图1所示。 2 GB/T 36477—2018 电源 DLC 被测输入 o 被测输出 PG 被测电路 其他输入端 工参考点 引线和设备: 元件: PG 向量发生器; 动态负载。 DLC 双电平比较器; PC 向量采集器; VoH 电压源输出的高电平比较阈值; VoL. 电压源输出的低电平比较阈值。 图1动态法测试输出高电平电压和输出低电平电压的原理图 5.1.2.3 :测试条件 以下条件应在测试时明确给出并详细记录: 环境温度或参考点温度; 测试向量和测试顺序; 电源电压; 一输人电压; 一输出电流; 电流方向。 5.1.2.4测试程序 将被测快闪存储器接到图1所示的电路中,电源电压和输入电压调整到最坏情况条件,并给双电平 比较器的阅值电平施加规定的输出高电平和输出低电平电压值。 温度调整到规定值,并在测试前后立即检查。 向量发生器施加激励向量,向量采集器顺序采集输出逻辑并和期望的输出逻辑序列进行比较。 不断调整双电平比较器高电平的比较阈值,使其逐渐下降(或上升),当输出逻辑关系与期望逻辑序 列相符时,最小和最大的高电平比较阈值即为输出高电平电压Vo的最小和最大值。 同理可测试输出低电平电压VoL的最小和最大值 5.2输入高电平电压和输入低电平电压 5.2.1直接测量法 5.2.1.1目的 测试输出电压为规定值时,输入端所施加的最小高电平电压和最大低电平电压。 3. GB/T 36477—2018 宜先使用直接测量法测量输入高电平电压和输入低电平电压。 5.2.1.2测试原理图 使用直接测试法测试输人高/低电平电压的原理如图2所示。 电源 被测输入 被测输出 被测电路 其他输入端 「参考点 引线和设备: PG 向量发生器; V 电压表; V. 电压源输出到被测输人引脚的电压; Vo 电压表测量到被测输出引脚的电压。 图2直接测试法测试输入高/低电平电压的原理图 5.2.1.3 3测试条件 以下条件应在测试时明确给出并详细记录: 环境温度或参考点温度; 测试向量和测试顺序; 电源电压; 输入电压; 输出电压。 5.2.1.4测试程序 将被测快闪存储器接到图2所示的电路中,电源电压和输人电压调整到规定值并给输出端施加适 当的负载, 温度调整到规定值,并在测试前后立即检查。 施加建立规定逻辑状态所需的激励向量。被测输人端输人电压V,由电源电压值逐渐下降,使输出 端电压V。为规定的电压值时,该输入电压最小值即为输人高电平电压V。 被测输入端输入电压V由参考点电压值逐渐上升,使输出端电压Vo为规定的电压值时,该输入 电压最大值即为输入低电平电压Vu。 4
GB-T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
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