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ICS31.200 L55 中华人民共和国国家标准 GB/T28275—2012 硅 基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 Silicon-basedMEMSfabricationtechnology— SpecificationforKOHetchprocess 2012-05-11发布 2012-12-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 中华人民共和国 国家标准 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 GB/T28275—2012 * 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址:www.gb168.cn 服务热线:010-68522006 2012年10月第一版 * 书号:155066·1-45572 版权专有 侵权必究 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。 本标准起草单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所、重庆大学、东南大学、中国电子科技集 团第四十九研究所、中机生产力促进中心。 本标准主要起草人:夏伟锋、熊斌、冯飞、戈肖鸿、周再发、李玉玲、贺学锋、田雷、刘伟。 ⅠGB/T28275—2012
GB-T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范
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