ICS 31. 080. 30 L 41 中华人民共和国国家标准 GB/T 21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000 半导体器件分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 Semiconductordevices--Discretedevices- Part 4-1:Microwave diodes and transistors-Microwave field effect transistors-Blank detail specification (IEC 60747-4-1:2000,IDT) 2007-06-29发布 2007-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T21039.1—2007/IEC60747-4-1:2000 前言 本部分是《半导体器件分立器件》系列国家标准之一。下面列出本系列已有的和正在制定的国家 标准： GB/T4589.1-2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》； -GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》； -GB/T17573-一1998《半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则》； GB/T4023一1997《半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管》； -GB/T20516一2006《半导体器件分立器件第4部分：微波器件》； 应晶体管空白详细规范》； GB/T15291-1994《半导体器件第6部分：晶闸管》； -GB/T4587一1994《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》； GB/T4586一1994《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》； 《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极型晶体管》。 本部分等同采用IEC60747-4-1：2000《半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范》（英文版）。 为了便于使用，本部分作了如下编辑性修改： a）用小数点“.”代替作为小数点的逗号“，”； b) 删除国际标准的前言； c) 第7章订货资料“……37规定的质量评定类别……”和…3.6规定的筛选顺序….”原文中 章条号编辑性错误，应为“3·8规定的质量评定类别…”和3.7规定的筛选顺序.”； d) 第8章试验条件和检验要求“....，引用或重新规定GB/T12560一1999中3.8的数值。”原 文中章条号编辑性错误，应为“..，引用或重新规定GB/T12560一1999中3.7的数值。”； C3分组检验要求极限中“》无损坏”，原文编辑性错误，应为“无损坏”； 经比较本部分C8分组的引用标准IEC60747-8-1附录I在内容上与本部分附录A一致，因此 本部分中C8分组的引用标准改为本部分附录A。 本部分中引用的国家标准对应等同采用的IEC标准是： 国家标准编号 IEC标准编号 GB/T 4589.1—2006 IEC 60747-10(1991) GB/T20516-2006 IEC 60747-4(2001) GB/T12560—1999 IEC 60747-11(1985) 本部分中引用的国家标准及试验方法号相对应等同采用的IEC标准中的试验方法是： 国家标准编号及方法号 IEC标准试验方法号 GB/T 4586—1994 4. 2 T-071 GB/T 4586-1994 4. 5 T-074 GB/T 4586—1994 4.3 T-072 GB/T4587—19954.1.13.6 T-044