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ICS 31. 080. 01 L 40 中华人民共和国国家标准 GB/T 20516——2006/IEC 60747-4:2001 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件 Semiconductor devicesDiscrete devices- Part 4 : Microwave devices (IEC 60747-4:2001,IDT) 2006-10-10发布 2007-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 20516--2006/IEC 60747-4:2001 目 次 前言 第I篇 总则 1 引言 2 范围 3 文字符号 第Ⅱ篇 变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管 第1节 变容二极管 1 概述 2 术语和文字符号 2 3 基本额定值和特性 4 测试方法 .......... 第2节 阶跃二极管和肖特基二极管 1 概述· .... 21 2术语和文字符号… 21 3基本额定值和特性.· 22 4测试方法· 第Ⅲ篇混频二极管和检波二极管 第1节 雷达用混频二极管 1 概述·· 2 术语和文字符号 3 基本额定值和特性. 测试方法 30 第2节 通信用混频二极管 概述··· 42 1 2术语和文字符号 42 3 基本额定值和特性 测试方法 43 第3节 检波二极管 (在考虑中) 1
GB-T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
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