GB-T 22319.6-2023 石英晶体元件参数的测量 第6部分：激励电平相关性(DLD)的测量

ICS 31.140 CCS L 21 中华人民共和国国家标准 GB/T22319.6—2023/IEC60444-6:2021 石英晶体元件参数的测量第6部分：激励电平相关性（DLD)的测量 Measurement of quartz crystal unit parameters- Part 6:Measurement of drive level dependence (DLD) (IEC60444-6:2021,IDT) 2023-09-07发布 2024-01-01实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 GB/T22319.6—2023/IEC60444-6:2021 目次前言引言范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 DLD效应. 4.1 额率和电阻的可逆变化 4.2 额率和电阻的不可逆变化 4.3DLD效应的原因 5DLD测量的激励电平试验方法.. 6.1方法A(快速标准测量方法）方法B(多电平基准测量方法）附录A（规范性）石英晶体元件的激励电平和机械位移之间的关系附录B（规范性）方法C：使用振荡器法测量DLD 参考文献 12 图1 电阻R1或R1s随激励电平相关性变化的最大允许电阻比图B.1 振荡器中的晶体元件的接图B.2 晶体元件损耗电阻随耗散功率的变化关系图B.3 石英晶体元件R，的特性图 B.4 电路系统方框图图B.5 在扫描激励电平范围内建立的一R .....10 图B.6 在本附录试验中将一R=70α作为试验限值时石英晶体元件的激励电平特性图B.7

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