ICS 19.100 CCS J 04 中华人民共和国国家标准 GB/T12604.10—2023 代替GB/T12604.10—2011 无损检测 术语第10部分：磁记忆检测 Non-destructive testing—Terminology-Part 10 : Magnetic memory testing 2023-05-23实施 2023-05-23发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T12604.10—2023 目 次 前言 引言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 附录A（资料性）本文件删除GB/T12604.10—2011的术语 10 附录B（资料性）本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语 11 附录C（资料性）本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语 12 参考文献 索引 图1 磁记忆信号平面显示图 图2 磁记忆信号时基显示图 图3 磁记忆信号A扫描显示图 图4 磁记忆信号极坐标显示图： 图 5 磁记忆信号色斑显示图 图6 磁记忆信号三维显示图 图 7 磁记忆信号管状显示图 表A.1本文件删除GB/T12604.10—2011的术语 10 表B.1本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语 11 表C.1本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语 12 GB/T12604.10—2023 前言 起草。 本文件是GB/T12604《无损检测 术语》的第10部分。GB/T12604已经发布了以下部分： GB/T12604.1 无损检测 术语 超声检测； -GB/T 12604.2 无损检测 术语 射线照相检测； GB/T12604.3 无损检测 术语 渗透检测； —GB/T12604.4 无损检测 术语 声发射检测； GB/T 12604.5 无损检测 术语 磁粉检测； -GB/T 12604.6 无损检测 术语 涡流检测； GB/T12604.7 无损检测 术语 泄漏检测； -GB/T12604.8 无损检测 术语 中子检测； GB/T 12604.9 无损检测 术语 红外热成像； GB/T12604.10 无损检测 术语 第10部分：磁记忆检测； GB/T12604.11 无损检测 术语 X射线数字成像检测； GB/T 12604.12 无损检测 术语 第12部分：工业射线计算机层析成像检测； GB/T12604.13 无损检测 术语 第13部分：阵列超声检测。 本文件代替GB/T12604.10—2011《无损检测术语磁记忆检测》，与GB/T12604.10—2011相 比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a) 删除了部分术语（见附录A)； b）增加了部分术语（见附录B)； c）更改了部分术语（见附录C)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国无损检测标准化技术委员会（SAC/TC56）提出并归口。 本文件起草单位：爱德森（厦门）电子有限公司、上海材料研究所有限公司、中国特种设备检测研究 院、中国科学院金属研究所、国家能源集团科学技术研究院、南昌航空大学、中国铁道科学研究院集团 有限公司金属及化学研究所、中国人民解放军陆军装甲兵学院、清华大学、厦门大学。 本文件主要起草人：林俊明、沈功田、蔡桂喜、胡先龙、丁杰、宋凯、董世运、黄松岭、黄凤英、曾志伟、 胡斌、戴永红。 本文件于2011年首次发布，本次为第一次修订。 II GB/T12604.10—2023 引言 无损检测技术是人类工业化和社会发展不可或缺的重要工具，是产品质量控制和保障设备设施安 全运行的主要手段，其同时也对生产工艺进行反馈。无损检测利用物质的热、力、声、光、电和磁等特 性，以不损害预期使用性能和可靠性的方式，探测、定位和测量材料与零部件中的缺陷或异常，评价其性 能、组织和完整性。无损检测的应用涵盖机械制造、化工、医药医疗、能源、交通、治金、建筑、水利、海洋 工程、兵器、航空、航天、核工业、卫生食品、走私与反恐和公共安全等领域。 无损检测的方法和技术众多，应用对象广泛。建立无损检测各个方法和技术的基础通用的术语，是 国内外各类无损检测标准化机构开展无损检测标准化活动的首要任务。GB/T12604《无损检测术 语》是指导我国无损检测标准化活动的基础性和通用性标准。GB/T12604《无损检测术语》旨在确立 普遍适用于无损检测标准化文件的术语，由十三个部分构成。 GB/T 12604.1 无损检测 术语 超声检测。目的在于界定了超声检测的术语。 GB/T12604.2 无损检测 术语 射线照相检测。目的在于界定了射线照相检测的术语。 -GB/T12604.3 无损检测 术语 渗透检测。目的在于界定了渗透检测的术语。 GB/T12604.4 无损检测 术语 声发射检测。目的在于界定了声发射检测的术语。 GB/T12604.5 无损检测 术语 磁粉检测。目的在于界定了磁粉检测的术语。 GB/T12604.6 无损检测 术语 涡流检测。目的在于界定了涡流检测的术语。 GB/T 12604.7 无损检测 术语 泄漏检测。目的在于界定了泄漏检测的术语。 GB/T12604.8 无损检测 术语 中子检测。目的在于界定了中子检测的术语。 GB/T12604.9 无损检测 术语 红外热成像。目的在于界定了红外热成像的术语 GB/T12604.10 无损检测 术语 第10部分：磁记忆检测。目的在于界定了磁记忆检测的 术语。 -GB/T12604.11 无损检测 术语 X射线数字成像检测。目的在于界定了X射线数字成像 检测的术语。 GB/T12604.12 无损检测 术语 第12部分：工业射线计算机层析成像检测。目的在于界 定了工业射线计算机层析成像检测的术语 一GB/T12604.13无损检测术语第13部分：阵列超声检测。自的在于界定了阵列超声检 测的术语。 本文件是GB/T12604的第10部分，分别从通用、原理方法、仪器、传感器、测量及应用等方面对磁 记忆检测术语进行定义。本次对GB/T12604.10的修订，重点考虑了磁记忆检测涵盖的原理、仪器、传 感器、检测工艺和方法等，明确了相关常用的术语和定义，使得在制定磁记忆检测方法和产品文件时有 据可依，从而发挥术语文件的基本通用的支撑功能，更好地促进无损检测贸易、交流以及技术合作。 IV GB/T12604.10—2023 无损检测术语第10部分：磁记忆检测 1范围 本文件界定了用于金属磁记忆检测的术语。 本文件适用于金属磁记忆检测。 2规范性引用文件 2 本文件没有规范性引用文件。 3术语和定义 3.1 金属磁记忆 metalmagneticmemory;MMM 铁磁性物体经历磁场变化和磁-机械效应积累作用后的磁状态， 环境因素，改变了其剩余磁化强度（例如：温度、机械载荷或材料的微观结构变化）。 ［来源:GB/T26641—2021,3.1] 3.2 表面磁场 magnetic strayfield;SF 离开或进入零件表面且非有意磁化该零件的磁场， 注1：铁磁材料在其自身体积和周围空间中产生磁场。材料本身的磁化分布所产生的场称为表面磁场或其内的退 磁场。退磁场和表面磁场是几何相关的，当磁化强度不均匀或具有与外部或内部表面法向的分量时，表面磁 场就会出现。表面磁场的高局部变化类似于磁通泄漏，用来表明材料性能的不均匀性。 注2：文献中使用的其他术语是，例如自发漏磁场、残余磁场、表面磁场、漏磁场、磁场密度或表面场。当用于无损检 测时，表面磁场是被动磁场测量的推荐术语，而漏磁定义了在检测之前或检测期间由于外部磁化放大的磁 通量。 【来源：GB/T266412021,3.2 3.3 表面磁场梯度 stray field gradient 同一探头位置上，表面磁场（3.2）随探头位置变化和/或时间变化的变化率。 ［来源：GB/T26641—2021.3.6] 3.4 表面磁场矢量 strayfield vector 采用被动磁场传感法测定的被检对象表面磁场（3.2）在i方向（i=a，y，）上的分量 ［来源：GB/T26641—2021,3.4] 3.5 表面磁场指示 stray field indication;SFI 由高机械应力/应变梯度引起的SF（表面磁场）的偏离。 1 GB/T 12604.10—2023 注1：在具有局部磁导率变化的位置也形成SFI,这可能是由缺陷集中（例如引起的裂纹、点蚀），金属组织中强异质 的边界、杂质、突然的几何变化、内部和外部表面、与被检查物体的分离、不可逆变形（位错密度高）和化学成分 的变化（例如，沉积或浸出）等引起的。 注2：表面磁场指示不一定是缺陷的指示。 L来源:GB/T266412021,3.5] 3.6 力磁耦合效应 force-magnetic coupling effect 应力与应变对铁磁材料磁化过程的影响规律。 3.7 参考磁场 reference magnetic field 进行金属磁记忆检测（3.9)时用作参考的磁场。 注：通常为地磁场。 3.8 background magnetic field 背景磁场 对磁记忆检测系统（3.29）有影响的由外部物体产生的磁场。 注：背景磁场对磁记忆信号（3.34)有影响。 3.9 金属磁记忆检测 metal magnetic memory testing; MMM testing 通过测量和分析被检对象表面磁场（3.2）分布且无需主动磁化的无损检测技术。 注：磁场敏感探头用于测量表面磁场